В твердотельных накопителях Transcend MTE720T, MTE710T и MTE670T используется 112-слойная флеш-память 3D NAND

Компания Transcend на этой неделе сообщила о выпуске твердотельных накопителей промышленного класса, в которых используется 112-слойная флеш-память 3D NAND. Это накопители типоразмера M.2 2280 с интерфейсом PCIe. Серия включает модели MTE720T, MTE710T и MTE670T. Основой первой служит восьмиканальный контроллер PCIe Gen4 x4, второй — четырехканальный контроллер PCIe Gen4 x4. В обоих случаях выполняется кэширование в DRAM. Эти модели поддерживают протокол NVMe 1.4. Модель MTE670T с интерфейсом PCIe Gen3 x4 не имеет DRAM и поддерживают протокол NVMe 1.3.

В твердотельных накопителях Transcend MTE720T, MTE710T и MTE670T используется 112-слойная флеш-память 3D NAND

Использование 112-слойной памяти позволило получить вдвое большую плотность хранения по сравнению с накопителями на 96-слойной памяти.  Кроме того, 112-слойная память 3D NAND обеспечивает более высокую скорость передачи данных, на 50% превосходя предшественника по этому показателю. Её ресурс составляет 3000 циклов перезаписи. Накопители гарантированно могут работать в расширенном диапазоне температур (от -20°С до 75°С).

Накопители MTE720T выпускаются объемом от 500 ГБ, 1 и 2 ТБ. Для них заявлена максимальная скорость чтения 7400 МБ/с и максимальная скорость записи 6000 МБ/с. Накопители MTE710T выпускаются объемом от 256 ГБ, 512 ГБ, 1 и 2 ТБ. Для них заявлена максимальная скорость чтения 3800 МБ/с и максимальная скорость записи 3200 МБ/с. Накопители MTE670T выпускаются объемом от 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. В их случае скорость чтения достигает 2100 МБ/с, скорость записи — 1600 МБ/с. Ресурс SSD и цены производитель не приводит.