Samsung разработала микросхему DDR5 ёмкостью 32 Гб, которая позволит создавать модули ОЗУ объёмом 128 ГБ

Компания Samsung представила микросхемы оперативной памяти DDR5 ёмкостью 32 Гб, то есть объёмом 4 ГБ.  

Samsung разработала микросхему DDR5 ёмкостью 32 Гб, которая позволит создавать модули ОЗУ объёмом 128 ГБ

Такие микросхемы позволят создавать модули ОЗУ объёмом 128 ГБ. Известно, что речь идёт об использовании техпроцесса 12-нанометрового класса. Массовое производство таких микросхем запланировано на конец текущего года, то есть модули объёмом 128 ГБ могут появиться уже в начале следующего года. 

Samsung в своём пресс-релизе также отмечает, что с 1983 года ёмкость DRAM выросла в 500 000 раз. Та же Samsung разработала свои первые микросхемы ОЗУ ёмкостью 64 Кб именно в 1983 году.  


Источник