Создание очень тонких, гибких микросхем остается целью разработчиков в течение многих лет, но технические проблемы препятствуют миниатюризации, необходимой для высокой производительности. Исследователям из Стэнфорда, похоже, удалось разработать новую технологию, позволяющую создавать транзисторы атомарной толщины и длиной менее 100 нм. Это в несколько раз меньше, чем предыдущий рекорд.
Микросхемы, изготовленные по новой технологии, можно будет носить на поверхности тела или имплантировать в него.
Перспективным направлением давно считаются двумерные материалы на гибких положках, но сложность заключается в том, что высокие температуры, необходимые для формирования полупроводниковых приборов, разрушают пластиковые подложки. Ученые, работающие в Стэнфорде, решили формировать цепи на жесткой подложке. На кремниевой подложке со стеклянным покрытием была сначала сформирована 2D-пленка из сульфида молибдена толщиной всего три атома, которую перекрыл нанослой золотых электродов. Для формирования пленки из сульфида молибдена необходима температура около 850 °С, при которой пластиковая подложка разрушилась бы. После этого пленку перенесли на гибкую подложку, после чего в ходе «нескольких дополнительных этапов» на ней были сформированы транзисторы. Хотя, по словам ученых, схему можно было полностью изготовить на твердой подложке, и перенести уже в готовом виде, некоторые этапы лучше выполнять уже на гибкой подложке. Толщина итогового изделия, включая подложку, получилась равной всего 5 мкм.
Полученная схема характеризуется высоким быстродействием и малым энергопотреблением. Сейчас исследователи намерены изготовить по этой технологии радиочастотные схемы, чтобы обеспечить гибкой электронике возможность беспроводного взаимодействия с другими устройствами.
О сроках коммерциализации разработки ученые пока не говорят.