Компания Toshiba Memory Europe сообщила о начале поставки ознакомительных образцов первых в отрасли модулей флэш-памяти стандарта UFS 3.0 емкостью 128 ГБ. Сейчас доступны модули только такого объема, в дальнейшем также станет доступна память емкостью 256 и 512 ГБ.
В новых модулях используется 96-слойная 3D-память BiCS FLASH компании Toshiba. Производитель заявляет, что такая память благодаря высокой скорости чтения и записи подойдет для смартфонов, планшетов, а также для устройств дополненной и виртуальной реальности.
Полнодуплексный режим позволяет одновременно осуществлять чтение и запись данных между процессором и UFS-накопителем. Вышеупомянутая 96-слойная 3D-память BiCS FLASH вместе с контроллером размещены в корпусе стандарта JEDEC размером 11,5 x 13 мм. Контроллер выполняет коррекцию ошибок, нивелирование износа, трансляцию логических адресов в физические и управление поврежденными блоками, что облегчает разработку систем.
Модули всех трех объемов обладают теоретической скоростью работы интерфейса до 11,6 Гбит/с на линию (23,2 Гбит/с для двух линий) и поддерживают функции предотвращения увеличения энергопотребления. Скорость последовательного чтения и записи модуля емкостью 512 ГБ выросла примерно на 70 и 80% соответственно по сравнению с устройствами Toshiba предыдущего поколения емкостью 256 ГБ.