Компания SK Hynix сообщила, что ее специалисты недавно завершили разработку твердотельных накопителей корпоративного сегмента. В этих накопителях объемом 4 ТБ используются микросхемы 72-слойной флэш-памяти 3D NAND плотностью 512 Гбит производства SK Hynix. Контроллеры и встроенное программное обеспечение также разработаны SK Hynix.
Накопители демонстрируют скорость последовательного чтения до 560 МБ/с и скорость последовательной записи до 515 МБ/с. Производительность на операциях с произвольным доступом достигает 98 000 IOPS и 32 000 IOPS в режиме чтения и записи соответственно.
Кроме того, новые микросхемы флэш-памяти используются в SSD с интерфейсом PCIe. Эти SSD будут выпускаться объемом «более 1 ТБ». Модель объемом 1 ТБ демонстрирует скорость последовательного чтения до 2700 МБ/с и скорость последовательной записи до 1100 МБ/с. Производительность на операциях с произвольным доступом достигает 230 000 IOPS и 35 000 IOPS в режиме чтения и записи соответственно.
Поставки ознакомительных образцов уже начались.