Компания Samsung Electronics, лидирующая на рынке полупроводниковой памяти, объявила о том, что начала массовый выпуск микросхем флэш-памяти V-NAND пятого поколения. Это первые в отрасли микросхемы флэш-памяти с интерфейсом Toggle DDR 4. Он позволяет получить скорость передачи данных 1,4 Гбит/с, что на 40% выше показателя интерфейса, которым оснащены 64-слойные микросхемы предыдущего поколения.
Новые микросхемы плотностью 256 Гбит имеют более 90 слоев. При этом по энергетической эффективности они не уступают 64-слойным, поскольку рабочее напряжение понижено с 1,8 В до 1,2 В. Совершенствуя технологию, высоту каждого слоя удалось уменьшить на 20%, увеличивая быстродействие при сохранении низкого уровня перекрестных помех. Время реакции в режиме чтения составляет 50 мкс, в режиме записи — 500 мкс, что является рекордным значением, на 30% лучшим по сравнению с показателем микросхем предыдущего поколения. Каждая ячейка V-NAND может хранить три бита.
По словам производителя, он планирует быстро наращивать объемы выпуска, поскольку новая память V-NAND предназначена для широкого спектра приложений — от смартфонов до суперкомпьютеров.