Флеш-память 3D NAND нового поколения, возможно, будут производить при температуре –70 градусов Цельсия. Hynix и Samsung тестируют криотравление

Компания Hynix тестирует новую технологию, которую может использовать в ближайшем будущем для производства флеш-памяти. Речь о технологии криотравления. 

Флеш-память 3D NAND нового поколения, возможно, будут производить при температуре –70 градусов Цельсия. Hynix и Samsung тестируют криотравление
Создано DALL-E

Сейчас при производстве флеш-памяти используются процессы травления при температурах в диапазоне от 0 до +30 градусов Цельсия, а новая технология, о которой идёт речь, подразумевает температуру −70 градусов Цельсия. 

Травильная машина нового поколения может производить травление глубиной 10 мкм с высоким соотношением сторон всего за 33 минуты, что более чем в три раза быстрее, чем существующие инструменты. Это достижение является не только серьёзным техническим усовершенствованием, но и значительно повышает эффективность производства памяти 3D NAND, что может изменить сроки производства и качество вывода устройств 3D NAND. 

Флеш-память 3D NAND нового поколения, возможно, будут производить при температуре –70 градусов Цельсия. Hynix и Samsung тестируют криотравление
фото: Tokyo Electron

Hynix рассматривает эту технологию для производства памяти более чем с 400 слоями. Сейчас производители пока не добрались даже до 300 слоёв, а лидером тут пока является Samsung.  

Сейчас Hynix тестирует технологию, отправляя пластины в лабораторию Tokyo Electron в Японии. Что интересно, похоже, Samsung тоже оценивает ту же технологию, но привезла инструменты в свою лабораторию. 


Источник